Sn掺杂TiO2/ACF复合材料的制备、表征及光催化性能

doi:10.16085/j.issn.1000-6613.2016.02.032

化工进展 ›› 2016, Vol. 35 ›› Issue (02): 549-554.DOI: 10.16085/j.issn.1000-6613.2016.02.032

Sn掺杂TiO₂/ACF复合材料的制备、表征及光催化性能

蔺波涛, 施冬梅

军械工程学院, 河北石家庄 050003

收稿日期:2015-05-22 修回日期:2015-08-22 出版日期:2016-02-05 发布日期:2016-02-05
通讯作者: 蔺波涛(1987-),男,硕士研究生。E-mail:linbotao2126@126.com。
作者简介:蔺波涛(1987-),男,硕士研究生。E-mail:linbotao2126@126.com。

Preparation and characterization of Sn doped TiO₂/ACF photocatalytic composite material

LIN Botao, SHI Dongmei

Ordnance Engineering College, Shijiazhuang 050003, Hebei, China

Received:2015-05-22 Revised:2015-08-22 Online:2016-02-05 Published:2016-02-05

摘要/Abstract

摘要： 以Ti(OC₄H₉)₄为前体,SnCl₄为Sn源,采用胶溶-回流法制备了Sn掺杂的TiO₂,利用浸渍提拉法将其负载到活性炭纤维(ACF)表面,并运用SEM、XRD、XPS、DRS等手段对TiO₂/ACF复合材料进行表征,考察了复合材料光催化降解气相甲醛的性能。研究结果表明,Sn元素掺入TiO₂晶格中,有利于抑制TiO₂晶粒的生长,促进TiO₂由锐钛矿型向金红石型的转化,光吸收范围发生一定程度红移;HNO₃的用量为0.015mol、掺锡量为6%、负载两层的TiO₂/ACF-50复合材料在紫外光照射下对甲醛的去除率复合材料可达85.2%,而在可见光下仅为65.3%。

关键词: TiO₂/ACF复合材料, 吸附, 催化剂, 锡掺杂

Abstract: Sn/TiO₂ was prepared with Ti(OC₄H₉)₄ and SnCl₄ by peptization-refluxing method.TiO₂ was loaded to the surface of ACF by the use of dip-coating method.TiO₂/ACF was characterized by Scanning Electron Microscopy,X-ray Diffraction,X-ray Photoelectron Spectroscopy and UV-VIS- Diffuse Reflectance Spectroscopy,and the degradation of CH₂O was investigated. When Sn was incorporated into TiO₂,the growth of TiO₂ grains was inhibited and the conversion of TiO₂ was promoted from anatase to rutile. The range of light absorbed by TiO₂ was redshift. When 0.015 mol HNO₃ were used and 6% Sn were doped content,the removal rate of CH₂O was 85.2 percent by two layer TiO₂/ACF-50 under UV irradiation,while that of only 65.3 percent was obtained under the visible light.

Key words: TiO₂/ACF composites, adsorption, catalysis, Sn doped

中图分类号:

TJ55

蔺波涛, 施冬梅. Sn掺杂TiO₂/ACF复合材料的制备、表征及光催化性能[J]. 化工进展, 2016, 35(02): 549-554.

LIN Botao, SHI Dongmei. Preparation and characterization of Sn doped TiO₂/ACF photocatalytic composite material[J]. Chemical Industry and Engineering Progree, 2016, 35(02): 549-554.

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